Springer Series in Materials Science

Gallium Oxide

Materials Properties, Crystal Growth, and Devices

Herausgeber: Higashiwaki, Masataka, Fujita, Shizuo (Eds.)

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  • Represents the first book dedicated to Ga₂O₃
  • Focuses on a key research area in ultra-wide-bandgap semiconductors
  • Provides broad coverage from materials properties through devices
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Über dieses Buch

This book provides comprehensive coverage of the new wide-bandgap semiconductor gallium oxide (Ga₂O₃). Ga₂O₃ has been attracting much attention due to its excellent materials properties. It features an extremely large bandgap of greater than 4.5 eV and availability of large-size, high-quality native substrates produced from melt-grown bulk single crystals. Ga₂O₃ is thus a rising star among ultra-wide-bandgap semiconductors and represents a key emerging research field for the worldwide semiconductor community.

Expert chapters cover physical properties, synthesis, and state-of-the-art applications, including materials properties, growth techniques of melt-grown bulk single crystals and epitaxial thin films, and many types of devices. The book is an essential resource for academic and industry readers who have an interest in, or plan to start, a new R&D project related to Ga₂O₃.


Inhaltsverzeichnis (40 Kapitel)

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Bibliografische Information

Bibliographic Information
Buchtitel
Gallium Oxide
Buchuntertitel
Materials Properties, Crystal Growth, and Devices
Herausgeber
  • Masataka Higashiwaki
  • Shizuo Fujita
Titel der Buchreihe
Springer Series in Materials Science
Buchreihen Band
293
Copyright
2020
Verlag
Springer International Publishing
Copyright Inhaber
Springer Nature Switzerland AG
eBook ISBN
978-3-030-37153-1
DOI
10.1007/978-3-030-37153-1
Hardcover ISBN
978-3-030-37152-4
Buchreihen ISSN
0933-033X
Auflage
1
Seitenzahl
XXVIII, 764
Anzahl der Bilder
80 schwarz-weiß Abbildungen, 393 Abbildungen in Farbe
Themen