Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln

1. Front Matter

   Pages I-XXIV

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2. Einleitung

   • Karsten Wolff

   Pages 1-4

3. Grundlagen, Nanopartikel und deren Eigenschaften

   • Karsten Wolff

   Pages 5-32

4. Transistoraufbau und -funktionsweise

   • Karsten Wolff

   Pages 33-50

5. Integrationstechniken

   • Karsten Wolff

   Pages 51-82

6. Feldeffekttransistoren mit Silizium-Nanopartikeln

   • Karsten Wolff

   Pages 83-113

7. Feldeffekttransistoren mit Zinkoxid-Nanopartikeln

   • Karsten Wolff

   Pages 115-187

8. Schaltungen

   • Karsten Wolff

   Pages 189-196

9. Back Matter

   Pages 197-228

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Um die Produktionskosten zu reduzieren und neue Anwendungsgebiete zu erschließen, wird in den letzten Jahren zusehends die Herstellung von integrierten Schaltungen mittels Drucktechniken angestrebt. Eine aussichtsreiche Materialklasse für den Einsatz in gedruckten Halbleiterbauelementen stellen anorganische Nanopartikel dar. Insbesondere eignen sich hierfür halbleitende Nanopartikel aufgrund der theoretisch hohen Ladungsträgerbeweglichkeit und der Materialverfügbarkeit.
Karsten Wolff untersucht Integrationstechniken für die Verwendung von Halbleiternanopartikeln in Feldeffekttransistoren am Beispiel von Silizium- und Zinkoxid-Partikeln. Dabei betrachtet er sowohl klassische Dünnfilmtransistoren, nanoskalige Einzelpartikeltransistoren als auch Inverterschaltungen. Im Fokus steht das elektrische Verhalten der Bauelemente in Abhängigkeit von der Prozessführung und der Transistorarchitektur.

• Feldeffekttransistoren
• Halbleitertechnologie
• Nanopartikel
• Transistoraufbau
• druckbare Elektronik

Dr.-Ing. Karsten Wolff promovierte bei Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann am Institut für Elektrotechnik und Informationstechnik der Universität Paderborn.

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