Transistoren bei großer Aussteuerung

1. Front Matter

   Pages i-iv

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2. Das Verhalten des Transistors bei großer Aussteuerung

   • R. Wiesner

   Pages 1-10

3. Effekte in Mesatransistoren bei großer Stromdichte

   • Hugo Rüchardt

   Pages 11-18

4. Vergleich von Verstärker- und Schalttransistoren

   • W. Engbert

   Pages 19-24

5. Zur Frage der Sperrschichtberührung bei Transistoren

   • K. Wagner, F. Weitzsch

   Pages 25-31

6. Der Transistor als ladungsgesteuertes Bauelement

   • H. P. Kleinknecht

   Pages 32-40

7. Die Kenndaten des Schalttransistors

   • H.-J. Thuy

   Pages 41-44

8. Meßverfahren für Großsignal-Kenngrößen

   • Anton Jäger

   Pages 45-49

9. Sperrschichttemperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb

   • F. Frey

   Pages 50-53

10. Wärmeprobleme bei Transistoren im Impulsbetrieb

    • F. Weitzsch

    Pages 55-57

11. Der Mitlaufeffekt und das thermische Ersatzschaltbild

    • O. Müller

    Pages 57-64

12. Multivibratorschaltungen mit Transistoren für extrem große kontinuierlich steuerbare Frequenzvariation

    • Dieter Gossel

    Pages 65-79

13. Großsignalsinusverhalten von Legierungstransistoren bei hohen Frequenzen

    • R. Paul

    Pages 80-85

14. Transistorverstärker mit Impulsanstiegszeiten von weniger als 5 ns

    • G. Kohn

    Pages 85-90

15. Back Matter

    Pages 91-92

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Der Fachtagung "Transistoren bei großer Aussteuerung", die vom Fachausschuß 3 "Halbleiter" der Nachrichtentechnischen Gesellchaft im VDE (NTG) vom 10. bis 13. April 1962 in Aachen veranstaltet wurde, ging eine Diskussionssitzung des Fachausschusses in Hamburg voraus, die ein so starkes Interesse erweckte, daß es dem Fachausschuß richtig erschien, die Hamburger Referate einem größeren Kreis, insbesondere unseren NTG-Mitgliedern, zugänglich zu machen. Das Vortrags programm wurde dann allerdings weitgehend umgestaltet und vor allem durch übersichtsvorträge von R. Wiesner, von W. Engbertund von H. P. Kleinknecht abgerundet. Selbstverständlich sollten die Aachener Vorträge möglichst rasch veröffentlicht werden. Durch die verständnisvolle Unterstüzung, die wir bei Herausgeber und Verlag der NTZ fanden, konn­ ten alle Vorträge in vier aufeinander folgenden Heften der NTZ (Juli bis Oktober 1962) er­ scheinen. In dem vorliegenden Band sind diese Aufsätze nochmals zusammengefaßt. Der Vortrag von F. Weitzsch, der ausführlich schon im Archiv für el. übertragung 16 (1962), 5.335-343 er­ schien, ist durch ein Referat vertreten; der Vortrag von D. Gossel wurde in erweiterter Form gebracht. So können wir hoffen, allen Wünschen unserer Fachkollegen und interessierten Leser gerecht geworden zu sein.

• Bauelement
• Halbleiter
• Legierungstransistor
• Mesatransistor
• Schaltung
• Steuerung
• Transistor
• Verfahren
• Verstärker

• Düsseldorf, Deutschland

  J. Wosnik

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