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Silizium-Halbleitertechnologie

  • Book
  • © 1999

Overview

Authors:
  1. Ulrich Hilleringmann

    1. Universität Dortmund, Deutschland

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Part of the book series: Teubner Studienbücher Technik (TSTT)

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Table of contents (13 chapters)

  1. Front Matter

    Pages I-XI
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  2. Einleitung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 1-3

  3. Herstellung von Siliziumscheiben

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 4-23

  4. Oxidation des Siliziums

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 24-36

  5. Lithografie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 37-58

  6. Ätztechnik

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 59-82

  7. Dotiertechniken

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 83-111

  8. Depositionsverfahren

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 112-130

  9. Metallisierung und Kontakte

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 131-149

  10. Scheibenreinigung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 150-160

  11. MOS-Technologien zur Schaltungsintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 161-193

  12. Erweiterungen zur Höchstintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 194-237

  13. Bipolar-Technologie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 238-251

  14. Montage integrierter Schaltungen

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 252-279

  15. Back Matter

    Pages 280-311
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Keywords

About this book

Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.

Authors and Affiliations

  • Universität Dortmund, Deutschland

    Ulrich Hilleringmann

About the author

Priv.-Doz. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann, Leiter der CMOS- Technologielinie, Universität Dortmund

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