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Protonendotierung von Silizium

Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium

  • Book
  • © 2014

Overview

Authors:
  1. Johannes G Laven

    1. Technischen Fakultät Informatik, Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg, Erlangen, Germany

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  • Wissenschaftlich-technische Studie
  • Includes supplementary material: sn.pub/extras

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Table of contents (7 chapters)

  1. Front Matter

    Pages I-XVII
    Download chapter PDF

  2. Einleitung

    • Johannes G. Laven
    Pages 1-7

  3. Grundlagen der Protonendotierung

    • Johannes G. Laven
    Pages 9-63

  4. Durchführung und Charakterisierungsmethoden

    • Johannes G. Laven
    Pages 65-82

  5. Ladungsträgerprofile und Parameterabhängigkeiten

    • Johannes G. Laven
    Pages 83-182

  6. Strahlungsinduzierte Störstellen

    • Johannes G. Laven
    Pages 183-222

  7. Modellierung

    • Johannes G. Laven
    Pages 223-237

  8. Zusammenfassung und Ausblick

    • Johannes G. Laven
    Pages 239-245

  9. Back Matter

    Pages 247-314
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Keywords

About this book

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.

Authors and Affiliations

  • Technischen Fakultät Informatik, Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg, Erlangen, Germany

    Johannes G Laven

About the author

Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.

Bibliographic Information

  • Book Title: Protonendotierung von Silizium

  • Book Subtitle: Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium

  • Authors: Johannes G Laven

  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-658-07390-9

  • Publisher: Springer Vieweg Wiesbaden

  • eBook Packages: Computer Science and Engineering (German Language)

  • Copyright Information: Springer Fachmedien Wiesbaden 2014

  • Softcover ISBN: 978-3-658-07389-3Published: 21 October 2014

  • eBook ISBN: 978-3-658-07390-9Published: 07 October 2014

  • Edition Number: 1

  • Number of Pages: XVII, 314

  • Number of Illustrations: 77 b/w illustrations

  • Topics: Electrical Engineering, Industrial and Production Engineering, Semiconductors

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