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Springer Vieweg - Elektrotechnik - Elektronik & Mechatronik | Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen - Simulation mit PSPICE

Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Simulation mit PSPICE

Baumann, Peter

2012, IX, 135 S. 153 Abb.

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  • ​​Statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen
  • Ergänzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler
  • Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler

Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.

 

Der Inhalt

Halbleiterdioden – Bipolartransistoren – Sperrschicht-Feldeffekttransistoren – Mos-Feldeffekttransisotoren – Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor – Operationsverstärker – Optokoppler

 

Die Zielgruppen

Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten

Ingenieure und Physiker in der Praxis

 

Der Autor

Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann ist Lehrbeauftragter für das Modul Elektronik an der Hochschule Bremen.

Content Level » Graduate

Stichwörter » Bipolartransistor - Feldeffekttransistor - Halbleiterdiode - OrCAD-PSPICE - SPICE-Modellparameter - Sperrschickt-Feldeffekttransistor

Verwandte Fachbereiche » Elektronik & Mechatronik - Technische Informatik

Inhaltsverzeichnis / Vorwort / Probeseiten 

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