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Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

  • Textbook
  • © 2019

Overview

Authors:
  1. Ulrich Hilleringmann

    1. Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und Mathematik, Universität Paderborn, Paderborn, Germany

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  • Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen
  • Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik
  • Aktuelle Verfahren der mikroelektronischen Integrationstechnik

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Table of contents (13 chapters)

  1. Front Matter

    Pages I-XI
    Download chapter PDF

  2. Einleitung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 1-4

  3. Herstellung von Siliziumscheiben

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 5-20

  4. Oxidation des Siliziums

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 21-31

  5. Lithografie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 33-57

  6. Ätztechnik

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 59-79

  7. Dotiertechniken

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 81-103

  8. Depositionsverfahren

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 105-122

  9. Metallisierung und Kontakte

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 123-139

  10. Scheibenreinigung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 141-149

  11. MOS-Technologien zur Schaltungsintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 151-175

  12. Erweiterungen zur Höchstintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 177-214

  13. Bipolar-Technologie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 215-224

  14. Montage integrierter Schaltungen

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 225-245

  15. Back Matter

    Pages 247-275
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Keywords

About this book

Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert.

Authors and Affiliations

  • Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und Mathematik, Universität Paderborn, Paderborn, Germany

    Ulrich Hilleringmann

About the author

Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.

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