Halbleiter-Leistungsbauelemente

1. Front Matter

   Pages 1-1

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2. Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente

   • Josef Lutz

   Pages 1-4

3. Halbleiterphysikalische Grundlagen

   • Josef Lutz

   Pages 5-79

4. Halbleiterbauelemente

   • Josef Lutz

   Pages 81-238

5. Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen

   • Josef Lutz

   Pages 239-284

6. Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen

   • Josef Lutz

   Pages 285-324

7. Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen

   • Josef Lutz

   Pages 325-343

8. Leistungselektronische Systeme

   • Josef Lutz

   Pages 345-359

9. Back Matter

   Pages 9-9

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Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren,  MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden  leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.

Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.

• Bipolare Transistoren
• Halbleiter
• Halbleiterphysik
• Halbleiterphysikalische Grundlagen
• Herstellungstechnologie
• IGBTs
• MOS Transistoren
• MOSFET
• Robustheit
• Schnelle Dioden
• Schottky-Dioden
• SchwingungseffekteSiC Bauelemente
• Superjunction Bauelemente
• Systemintegration
• Thyristoren
• Zuverlässigkeit
• pn-Übergänge

• Fak. Elektrotechnik und, Informationstechnik, TU Chemnitz, Chemnitz, Germany

  Josef Lutz

Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.

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